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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
68
Por volta de -162% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
11.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
2978
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
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