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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
64
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
58
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
2504
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB Comparações de RAM
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
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