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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
64
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
58
读取速度,GB/s
4,477.7
16.0
写入速度,GB/s
1,869.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2504
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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