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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
64
Por volta de -146% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
2846
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
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