RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
64
En -146% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
2846
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link