RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
64
Intorno -146% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
26
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
2846
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link