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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
64
Por volta de -191% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
3007
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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