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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
64
左右 -191% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
22
读取速度,GB/s
4,477.7
17.2
写入速度,GB/s
1,869.1
13.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
3007
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
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