RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
64
En -191% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
3007
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link