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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
61
Por volta de -205% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
1,903.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
20
Velocidade de leitura, GB/s
4,668.9
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,903.1
15.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
735
3234
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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