RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
35
Por volta de -13% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.0
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2767
2640
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link