RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
35
Por volta de -13% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.0
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2767
2640
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link