RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2640
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX16 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link