RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
37
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
37
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2987
2512
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link