RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
24
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
10.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
17
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
16.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
3550
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link