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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
24
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
17
读取速度,GB/s
14.9
20.9
写入速度,GB/s
10.6
16.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3550
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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