RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Confronto
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
24
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
10.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
17
Velocità di lettura, GB/s
14.9
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
3550
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link