RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3079
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link