RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3079
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link