RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3079
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link