RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.4
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
25
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
19.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
4129
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link