RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4129
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link