RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
21.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
4129
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link