RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
19.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
3700
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link