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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
38
Por volta de -9% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2773
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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