RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2773
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link