RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2773
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link