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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
44
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
8.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
44
41
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
2476
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB Comparações de RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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