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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Compara
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
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Especificaciones
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
44
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
44
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2069
2476
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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