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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
44
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
44
41
Velocità di lettura, GB/s
13.0
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
2476
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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