RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
45
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2870
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link