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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
45
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2870
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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