RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2870
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link