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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
45
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2936
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
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