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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
12.3
17.0
写入速度,GB/s
8.0
13.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2936
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
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