RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
45
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2936
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link