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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
45
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2349
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
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Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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