RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
45
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
32
Velocità di lettura, GB/s
12.3
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2349
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link