RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
48
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
27
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
17.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3845
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link