RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
48
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.4
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
27
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
17.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3845
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link