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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
52
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
52
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
2814
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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