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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
52
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
52
读取速度,GB/s
9.3
14.7
写入速度,GB/s
5.9
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2814
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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