RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
40
Por volta de -122% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
18
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
17.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3507
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link