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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
40
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3507
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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