RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
40
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3507
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link