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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
53
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
53
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
9.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2366
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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