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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
53
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
53
读取速度,GB/s
12.3
20.0
写入速度,GB/s
8.9
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2366
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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