RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
14.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3779
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link