RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3779
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link