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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
30
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
18
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3421
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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