RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
30
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3421
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link